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BSP170P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP170P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP170P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

D38999/20MJ24PA
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BPA14408
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BSP149 L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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FET - 單 Diodes Inc 3-UFDFN MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
ECASD40D227M009K00
電容器 Murata Electronics North America 2917（7343 公制） CAP ALUM 220UF 2V 20% SMD
D38999/20FJ8SN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/SCKT
BRL3225T101K
固定式 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） INDUCTOR 100UH 270MA 1210 SMD
CMF55330R00FKEA70
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 330 OHM 1/2W 1% AXIAL
D38999/20MJ24SN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 24POS WALL MNT W/SCKT

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